率能半導體SS6810R是一款由PWM電流驅動的雙極低功耗電機驅動集成芯片。SS6810R有兩路H橋驅動，最大輸出40V/1A。輸入接口采用Pala-IN的驅動方式。
SS6810R采用ETSSOP20 173mil封裝，可以有效改善散熱性能，符合Rohs規范，引腳框架100％無鉛。
SS6810R模式：
通過設置MTH管腳的電壓值，可以設置任意比例快衰減和慢衰減的混合衰減模式。SS6810R的電流衰減模式可選擇為快衰減、慢衰減和混合衰減，且可以任意設置快衰減與慢衰減的比例，從而更平穩高效的控制電機驅動。采用單一電源供電可以有效的簡化系統級設置的難度。
這有助于改善單獨使用快衰減或慢衰減所產生的問題。在這種模式下，芯片在慢衰減和快衰減之間自動切換，在不增加輸出電流紋波的情況下改善了電流控制特性。
此外，通過設置PARA-IN驅動模式（也就是輸入相應的電機控制信號），可以驅動步進電機工作于全步模式、半步模式和四分之一步模式。
SS6810R芯片特性：
1.工作電壓范圍：10-40V；工作電流范圍：1.0-2.3A
2.PWM電流整流/限流
3.PARA-IN驅動模式
4.低導通阻抗的金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）：RDS(HS+LS)為1.3Ω
5.2 bits電流控制，提供4個電流臺階
6.可任意設置快慢衰減比例的電流衰減模式
7.邏輯輸入管腳內置下拉電阻
SS6810R典型應用原理圖
SS6810R保護和特性
過流保護（OCP）
每個功率管的電流限制模擬電路通過移除柵極驅動來限制功率管的電流。
過溫保護（TSD）
如果芯片溫度超過安全范圍，所有的H橋場效應管都將關斷，并且nFAULT引腳將被拉低。一旦溫度降至安全水平，將自動恢復正常工作。
欠壓保護（UVLO）
如果VM電壓低于欠壓鎖定閾值，芯片內部所有電路都不工作并且內部邏輯都清零。直到VM電壓升高至比UVLO閾值高時才恢復工作。
SS6810R應用案例
1.打印機
2.安防相機
3.辦公自動化設備
4.舞臺燈光
